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HVMOS

采用多層外延制造工藝和獨特結構設計的超結MOS，產品具有比常規MOSFET更快的開關速度及更柔和的開關曲線，在低開關損耗的同時也抑制了開關震蕩，提高系統效率、降低發熱量，簡化系統的EMC設計。
基于其高效率、低溫升的特點，特別適用于快速充電器、LED電源、通訊、服務器電源、電動車充電樁、車載電源系統等系統應用。
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商品信息

商品描述

采用多層外延制造工藝和獨特結構設計的超結MOS，產品具有比常規MOSFET更快的開關速度及更柔和的開關曲線，在低開關損耗的同時也抑制了開關震蕩，提高系統效率、降低發熱量，簡化系統的EMC設計。
基于其高效率、低溫升的特點，特別適用于快速充電器、LED電源、通訊、服務器電源、電動車充電樁、車載電源系統等系統應用。

ICM Product ID	Process	Tye	BVDSS@1mA(V)	ID(A)	BVGS(V)	Ron(mR@Vgs=10V)		Package	規格書
ICM Product ID	Process	Tye		ID(A)	BVGS(V)	Typ	Max	Package	規格書
CMW60R030DFD	EPI-SJ	FRD	600	80	±30	26	30	TO247	下載
CMW65R041DFD	EPI-SJ	FRD	650	70	±30	35	41	TO247	下載
CMW60R070DFD	EPI-SJ	FRD	600	56	±30	65	70	TO247	下載
CMW60R110DFD	EPI-SJ	FRD	600	30	±30	101	110	TO247	下載
CMP60R110DFD	EPI-SJ	FRD	600	30	±30	101	110	TO220	下載
CMB60R110DFD	EPI-SJ	FRD	600	30	±30	101	110	TO263
CMP65R120DFD	EPI-SJ	FRD	650	30	±30	108	120	TO220	下載
CMW65R120DFD	EPI-SJ	FRD	650	30	±30	108	120	TO247	下載
CMD65R550D	EPI-SJ	-	650	7	±30	550	700	TO252
CMD65R800D	EPI-SJ	-	650	5	±30	800	1000	TO252
CMD65R1100D	EPI-SJ	-	650	4	±30	1100	1300	TO252
CMD65R1500D	EPI-SJ	-	650	3	±30	1500	1600	TO252
CMD5N50VFDD	Planar	FRD	500	3	±30	2.5	3	TO252	下載
CMD5N50VFDC	Planar	FRD	500	4	±30	2.2	2.6	TO252	下載
CMD5N50VFDB	Planar	FRD	500	5	±30	1.6	2.2	TO252	下載
CMD5N50VFD	Planar	FRD	500	5	±30	1.25	1.5	TO252	下載
CMD5N25VFD	Planar	FRD	250	5	±20	0.9	1.1	TO252

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